PSMN025-100D,118

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

47 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

58 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

72 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

69 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Parte # Alias:

/T3 PSMN025-100D

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

PSMN025-100D,1, PSMN025-1, PSMN025, PSMN02, PSMN0, PSMN, PSM