MJW0302AG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

260 V

Colector- Voltaje base VCBO:

260 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

15 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

30 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

21.08 mm (Max)

Longitud:

16.26 mm (Max)

Ancho:

5.3 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

75

Pd - Disipación de energía:

150000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

MJW03, MJW0, MJW