IRF7201TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

5.8 S

Otoño:

19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Parte # Alias:

SP001565328

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

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