IMT18T110

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

12 V

Colector- Voltaje base VCBO:

15 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

260 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

270 at 10 mA, 2 V

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

270 at 10 mA, 2 V

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

IMT18

Tags

IMT1, IMT