FQD4N25TM-WS

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

250 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.75 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

FQD4N25

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

45 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.8 ns

Parte # Alias:

FQD4N25TM_WS

Unidad de peso:

0.009184 oz

Tags

FQD4N25TM, FQD4N25T, FQD4N25, FQD4N2, FQD4N, FQD4, FQD