2SA1812T100Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 400 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 400 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 7 V

Corriente máxima del colector de CC:

- 1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

12 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

270

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

- 0.5 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

82

Pd - Disipación de energía:

2 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SA1812T, 2SA1812, 2SA181, 2SA18, 2SA1, 2SA