IRFHS9351TR2PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

1.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

2 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

2.4 S

Otoño:

7.9 nS

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6.3 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.3 nS

Parte # Alias:

SP001572664

Unidad de peso:

0.017637 oz

Tags

IRFHS935, IRFHS9, IRFHS, IRFH, IRF