RW1C026ZPT2CR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563T-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

50 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

700 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

RW1C026ZP

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

2.2 S

Otoño:

850 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

290 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

2.55 us

Tiempo típico de retardo de encendido:

170 ns

Parte # Alias:

RW1C026ZP

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

RW1C02, RW1C0, RW1C, RW1