NTD4809N-1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

6.35 mm

Longitud:

6.73 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FET - MOSFET

Ancho:

2.38 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

9 S

Otoño:

5.3 ns, 2.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21.3 ns, 22.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15.1 ns, 25.3 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.3 ns, 7 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

NTD4809N, NTD4809, NTD480, NTD48, NTD4, NTD