DMN3270UVT-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOT-26-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

270 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

5 V, - 500 mV

Qg - Carga de puerta:

3.07 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.08 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

674 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

205 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

1470 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

163 ns

Unidad de peso:

0.000459 oz

Tags

DMN32, DMN3, DMN