NTMFD4902NFT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

9.7 nC, 11.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.45 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Serie:

NTMFD4902NF

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

28 S, 35 S

Otoño:

4 ns, 4.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 15.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns, 17.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 10.5 ns

Unidad de peso:

0.001319 oz

Tags

NTMFD4902, NTMFD490, NTMFD49, NTMFD4, NTMFD, NTMF, NTM