US6M11TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363T-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V, 12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.5 A, 1.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

180 mOhms, 260 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

1.8 nC, 2.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Serie:

US6M11

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

3 ns, 9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns, 10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 8 ns

Parte # Alias:

US6M11

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

US6M11T, US6M11, US6M1, US6M, US6