PHT6NQ10T,135

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

21 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.7 mm

Longitud:

6.7 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.7 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

/T3 PHT6NQ10T

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

PHT6NQ, PHT6N, PHT6, PHT