CEDM8004VL TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-883VL

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

450 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

880 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

100 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.32 mm

Longitud:

1.05 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

CEDM80

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

0.65 mm

Marca:

Semiconductor central

Transconductancia directa - Mín .:

200 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

CEDM8004VL PBFREE TR

Tags

CEDM8004, CEDM8, CEDM, CED