2N3767

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-66-2

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

100 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.5 V

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

10 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N3767

Ganancia de corriente CC hFE Max:

160 at 500 mA, 5 V

Embalaje:

Tubo

Marca:

Semiconductor central

Corriente continua del colector:

4 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

20 at 1 A, 10 V

Pd - Disipación de energía:

25 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2N3767 PBFREE

Tags

2N376, 2N37, 2N3