FDMC012N03

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-33-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

35 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.23 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

78 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

64 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Clip de energía

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

FDMC012N03

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

220 S

Otoño:

4.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

43 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Unidad de peso:

0.005386 oz

Tags

FDMC01, FDMC0, FDMC, FDM