2N7002DWH6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

600 pC, 600 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

2N7002

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

200 mS, 200 mS

Otoño:

3.1 ns, 3.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.3 ns, 3.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

5.5 ns, 5.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns, 3 ns

Parte # Alias:

2N7002DW 2N72DWH6327XT H6327 SP000917596

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

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