DMN3022LFG-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI3333-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms, 8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

3.7 nC, 8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.96 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

1.9 ns, 2.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.8 ns, 2.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7.2 ns, 11.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns, 5.6 ns

Unidad de peso:

0.001552 oz

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DMN3022, DMN302, DMN30, DMN3, DMN