SIE816DF-T1-GE3

SIE816DF-T1-GE3
Mfr. #:
SIE816DF-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIE816DF-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay / Siliconix
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SIE816DF-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PolarPAK-10
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
5.2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
19.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
7.4 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tags
SIE81, SIE8, SIE
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Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIE816DF-T1-GE3
DISTI # SIE816DF-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIE816DF-T1-GE3
    DISTI # 781-SIE816DF-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      SIE816DF-T1-E3

      Mfr.#: SIE816DF-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIE816DF-T1-E3

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      SIE816DF-T1-GE3

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      RF Bipolar Transistors MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm @ 10V
      SIE816DF-T1-E3

      Mfr.#: SIE816DF-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIE816DF-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 60V 95A 125W 7.4mohm @ 10V
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
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      0,00 US$
      100
      0,00 US$
      0,00 US$
      500
      0,00 US$
      0,00 US$
      1000
      0,00 US$
      0,00 US$
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