DMN2005LP4K-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X2-DFN1006-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

650 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

530 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.35 mm

Longitud:

1 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMN2005

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

0.6 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

40 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.06 ns

Tags

DMN2005L, DMN2005, DMN200, DMN20, DMN2, DMN