BSP295H6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

300 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

14 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.6 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

BSP295

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

0.8 S

Otoño:

19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.4 ns

Parte # Alias:

BSP295 H6327 SP001058618

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

BSP295H, BSP295, BSP29, BSP2, BSP