IXTA1N200P3HV

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

40 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

23.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

400 mS

Otoño:

80 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

26 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Unidad de peso:

0.052911 oz

Tags

IXTA1N, IXTA1, IXTA, IXT