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SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4410BDY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI4410BDY-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI4410BDY-GE3
Unidad de peso
0.006596 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SOIC-Narrow-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
1.4 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
15 ns
Hora de levantarse
10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
7.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
13.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
40 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
10 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI4410BDY-T, SI4410BDY, SI4410BD, SI4410B, SI4410, SI441, SI44, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
***nell
N CHANNEL MOSFET
***ment14 APAC
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2.5W
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI4410BDY-T1-GE3
DISTI # SI4410BDY-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		769In Stock
  • 500:$0.6889
  • 100:$0.8883
  • 10:$1.1240
  • 1:$1.2700
SI4410BDY-T1-GE3
DISTI # SI4410BDY-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI4410BDY-T1-GE3
    DISTI # SI4410BDY-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI4410BDY-T1-GE3
      DISTI # 15R5002      		Vishay IntertechnologiesN CH MOSFET, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:10A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):20mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:1V,Power Dissipation Pd:2.5W , RoHS Compliant: Yes0
        SI4410BDY-T1-GE3
        DISTI # 26R1872        		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:10A,Drain Source Voltage Vds:30V,On Resistance Rds(on):20mohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V,Threshold Voltage Vgs:1V,Power Dissipation Pd:2.5W , RoHS Compliant: Yes0
          SI4410BDY-T1-GE3
          DISTI # 781-SI4410BDY-GE3          		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 10A 2.5W 13.5mohm @ 10V
          RoHS: Compliant          		0
            SI4410BDY-T1-GE3
            DISTI # 1871905            		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET
            RoHS: Compliant            		52
            • 2500:$1.0300
            SI4410BDY-T1-GE3
            DISTI # 1871905            		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET
            RoHS: Compliant            		0
            • 1:£0.6550
            • 10:£0.5200
            • 25:£0.4780
            • 50:£0.4350
            • 100:£0.3940
            Imagen Parte # Descripción
            SI4410BDY-T1-E3

            Mfr.#: SI4410BDY-T1-E3

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-T1-E3

            		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
            SI4410BDY-T1-GE3

            Mfr.#: SI4410BDY-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-T1-GE3

            		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
            SI4410BDY-T1-E3-CUT TAPE

            Mfr.#: SI4410BDY-T1-E3-CUT TAPE

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-T1-E3-CUT-TAPE-1190

            		 Nuevo y original
            SI4410BDY

            Mfr.#: SI4410BDY

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-1190

            		 Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 8A, 2.5W, SO8
            SI4410BDY-71-E3

            Mfr.#: SI4410BDY-71-E3

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-71-E3-1190

            		 Nuevo y original
            SI4410BDY-T1

            Mfr.#: SI4410BDY-T1

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-T1-1190

            		 INSTOCK
            SI4410BDY-T1-E3

            Mfr.#: SI4410BDY-T1-E3

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-T1-E3-VISHAY

            		 MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
            SI4410BDY-T1-E3 GE3

            Mfr.#: SI4410BDY-T1-E3 GE3

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-T1-E3-GE3-1190

            		 Nuevo y original
            SI4410BDY-T1-GE3

            Mfr.#: SI4410BDY-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-T1-GE3-VISHAY

            		 MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
            SI4410BDY-Y1-GE3

            Mfr.#: SI4410BDY-Y1-GE3

            OMO.#: OMO-SI4410BDY-Y1-GE3-1190

            		 Nuevo y original
            Disponibilidad
            Valores:
            Available
            En orden:
            1000
            Ingrese la cantidad:
            El precio actual de SI4410BDY-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
            Precio de referencia (USD)
            Cantidad
            Precio unitario
            Ext. Precio
            1
            1,08 US$
            1,08 US$
            10
            1,03 US$
            10,26 US$
            100
            0,97 US$
            97,22 US$
            500
            0,92 US$
            459,10 US$
            1000
            0,86 US$
            864,20 US$
            Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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