APT20M38SVRG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

D3PAK-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

67 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

38 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

148 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

370 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Poder MOS V

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.08 mm

Longitud:

16.05 mm

Ancho:

13.99 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

48 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

APT20M38, APT20M3, APT20M, APT20, APT2, APT