SI3590DV-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A, 2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

77 mOhms, 170 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

4.5 nC, 6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.15 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI3

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

10 S, 5 S

Otoño:

7 ns, 20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns, 15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns, 20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 5 ns

Parte # Alias:

SI3590DV-GE3

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

SI3590DV-T, SI3590D, SI359, SI35, SI3