SSM6L40TU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UF-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A, 1.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

122 mOhms, 226 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5.1 nC, 2.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM6L40TU

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

1.9 S, 1 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tags

SSM6L4, SSM6L, SSM6, SSM