NIF9N05CLT3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

52 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

107 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.69 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.57 mm

Longitud:

6.5 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

3.8 S

Otoño:

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1418 ns, 1165 ns, 290 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

780 ns, 906 ns, 1540 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

275 ns, 242 ns, 107 ns

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

NIF9N05CLT, NIF9N05C, NIF9, NIF