APT100GT120JRDQ4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de carburo de silicio IGBT

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1.2 kV

Voltaje de saturación colector-emisor:

3.2 V

Corriente continua del colector a 25 C:

123 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

600 nA

Pd - Disipación de energía:

570 W

Paquete / Caja:

ISOTOP-4

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

IGBT

Tags

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