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IXFK24N100F

IXFK24N100F
Mfr. #:
IXFK24N100F
Fabricante:
IXYS
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 24A TO264
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXFK24N100F Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFK24N100F Datasheet
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Tags
IXFK24N1, IXFK24N, IXFK24, IXFK2, IXFK, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 1000V 24A TO264
***ark
MOSFET, N, RF, TO-264; Transistor Type:MOSFET; Drain Source Voltage Vds:1000V; Continuous Drain Current Id:24A; Power Dissipation Max:560W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:3; Package / Case:TO-264; ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N, RF, TO-264; Drain Source Voltage Vds:1kV; Continuous Drain Current Id:24A; Power Dissipation Pd:560W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:500kHz; RF Transistor Case:TO-264; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Capacitance Ciss Typ:6600pF; On Resistance Rds(on):390mohm; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Max:560W; Rise Time:18ns; Termination Type:Through Hole; Threshold Voltage Vgs:5.5V; Transistor Case Style:TO-264; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:RF MOSFET; Voltage Vds Typ:1kV; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
***nell
MOSFET, N, RF, TO-264; Napięcie drenu / źródła Vds:1kV; Prąd ciągły Id drenu:24A; Straty mocy Pd:560W; Częstotliwość robocza, min.:-; Częstotliwość robocza, maks.:500kHz; Obudowa tranzystora RF:TO-264; Liczba pinów:3piny/-ów; Temperatura robocza, maks.:150°C; Asortyment produktów:-; Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL:-; Substancje SVHC:No SVHC (12-Jan-2017); Biegunowość tranzystora:Kanał N; Czas narastania:18ns; Napięcie Vds, typ.:1kV; Napięcie Vgs pomiaru Rds on:10V; Napięcie progowe Vgs:5.5V; Rezystancja przewodzenia Rds(on):390mohm; Rodzaj obudowy tranzystora:TO-264; Rodzaj tranzystora:RF MOSFET; Straty mocy, maks.:560W; Temperatura robocza, min.:-55°C; Typ zakończenia:Przewlekane; Typowa pojemność Ciss Typ:6600pF; Zakres temperatury roboczej:-55°C do +150°C
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXFK24N100F
DISTI # IXFK24N100F-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 24A TO264
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IXFK24N100F
    DISTI # 747-IXFK24N100F    		IXYS CorporationMOSFET IXFK24N100F 24A 1000V F-Class HiPerRF Capable MOSFET
    RoHS: Compliant    		0
      IXFK24N100F
      DISTI # 1347759      		IXYS CorporationMOSFET, N, RF, TO-264
      RoHS: Compliant      		0
      • 25:$48.4400
      • 1:$56.9800
      Imagen Parte # Descripción
      IXFK240N25X3

      Mfr.#: IXFK240N25X3

      OMO.#: OMO-IXFK240N25X3

      		 MOSFET 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
      IXFK220N20X3

      Mfr.#: IXFK220N20X3

      OMO.#: OMO-IXFK220N20X3

      		 MOSFET DISCMSFT NCHULTRJNCTN X3CLASS
      IXFK26N90

      Mfr.#: IXFK26N90

      OMO.#: OMO-IXFK26N90

      		 MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds
      IXFK240N15T2

      Mfr.#: IXFK240N15T2

      OMO.#: OMO-IXFK240N15T2-IXYS-CORPORATION

      		 Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
      IXFK24N100Q

      Mfr.#: IXFK24N100Q

      OMO.#: OMO-IXFK24N100Q-1190

      		 Nuevo y original
      IXFK24N100Q3

      Mfr.#: IXFK24N100Q3

      OMO.#: OMO-IXFK24N100Q3-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
      IXFK240N25X3

      Mfr.#: IXFK240N25X3

      OMO.#: OMO-IXFK240N25X3-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 250V 240A TO264
      IXFK200N10P

      Mfr.#: IXFK200N10P

      OMO.#: OMO-IXFK200N10P-IXYS-CORPORATION

      		 Darlington Transistors MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
      IXFK21N100Q

      Mfr.#: IXFK21N100Q

      OMO.#: OMO-IXFK21N100Q-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
      IXFK26N90

      Mfr.#: IXFK26N90

      OMO.#: OMO-IXFK26N90-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds
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      Valores:
      Available
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      1000
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      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      42,32 US$
      42,32 US$
      10
      40,20 US$
      401,99 US$
      100
      38,08 US$
      3 808,35 US$
      500
      35,97 US$
      17 983,90 US$
      1000
      33,85 US$
      33 852,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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