IRLML0100TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

235 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

2.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

5.7 s

Otoño:

3.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Parte # Alias:

SP001568612

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

IRLML0100T, IRLML01, IRLML0, IRLML, IRLM, IRL