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SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7806ADN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7806ADN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7806ADN-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET / PowerPAK
Paquete-Estuche
PowerPAK-1212-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
1.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
11 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
33 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
13 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7806ADN-T, SI7806AD, SI7806A, SI7806, SI780, SI78, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
Single N-Channel 30 V 0.016 Ohm 20 nC 1.5W Silicon SMT Mosfet - POWERPAK-1212-8
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***ark
N CHANNEL MOSFET, 30V, 14A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:14A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7806ADN-T1-GE3
DISTI # SI7806ADN-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.6468
SI7806ADN-T1-GE3
DISTI # SI7806ADN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SI7806ADN-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.5219
  • 6000:$0.5059
  • 12000:$0.4859
  • 18000:$0.4719
  • 30000:$0.4599
SI7806ADN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7806ADN-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.4700
  • 10:$1.2100
  • 100:$0.9290
  • 500:$0.7990
  • 1000:$0.7010
  • 3000:$0.7000
SI7806ADN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10VAmericas -
  • 3000:$0.5720
  • 6000:$0.5410
  • 12000:$0.5240
  • 24000:$0.5160
Imagen Parte # Descripción
SI7806ADN-T1-GE3

Mfr.#: SI7806ADN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7806ADN-T1-GE3

 MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V
SI7806ADN-T1-GE3

Mfr.#: SI7806ADN-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7806ADN-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V
SI7806ADN

Mfr.#: SI7806ADN

OMO.#: OMO-SI7806ADN-1190

 Nuevo y original
SI7806ADN-T1-E3

Mfr.#: SI7806ADN-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7806ADN-T1-E3-VISHAY

 MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
SI7806ADN-T1-E3-PBF

Mfr.#: SI7806ADN-T1-E3-PBF

OMO.#: OMO-SI7806ADN-T1-E3-PBF-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
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0,69 US$
10
0,66 US$
6,55 US$
100
0,62 US$
62,09 US$
500
0,59 US$
293,20 US$
1000
0,55 US$
551,90 US$
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