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SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3
Mfr. #:
SIS424DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 35A 39W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIS424DN-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
Serie
SISxxxDN
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SIS424DN-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Fuente triple de drenaje cuádruple simple
Paquete-Estuche
PowerPAK-1212-8
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
3.7 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
13 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
35 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
7.1 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
20 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
15 ns
Transconductancia directa-Mín.
39 S
Modo de canal
Mejora
Tags
SIS42, SIS4, SIS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 20V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
***ark
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:19.6A; On Resistance Rds(On):0.0053Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V Rohs Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIS424DN-T1-GE3
DISTI # SIS424DN-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.4389
SIS424DN-T1-GE3
DISTI # SIS424DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 19.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS424DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
    SIS424DN-T1-GE3.
    DISTI # 61AC1927    		Vishay IntertechnologiesTransistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:19.6A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.0053ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:2.5V,Power Dissipation Pd:39W,No. of Pins:8Pins RoHS Compliant: Yes0
    • 1:$0.5100
    • 6000:$0.4950
    • 12000:$0.4750
    • 18000:$0.4610
    • 30000:$0.4490
    SIS424DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SIS424DN-T1-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 35A 39W
    RoHS: Compliant    		0
      SIS424DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 35A 39W
      RoHS: Compliant      		Americas -
        Imagen Parte # Descripción
        SIS424DN-T1-GE3

        Mfr.#: SIS424DN-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIS424DN-T1-GE3

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS410DN-T1-GE3
        SIS424DN-T1-GE3

        Mfr.#: SIS424DN-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIS424DN-T1-GE3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 35A 39W
        Disponibilidad
        Valores:
        Available
        En orden:
        3000
        Ingrese la cantidad:
        El precio actual de SIS424DN-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
        Precio de referencia (USD)
        Cantidad
        Precio unitario
        Ext. Precio
        1
        0,66 US$
        0,66 US$
        10
        0,63 US$
        6,25 US$
        100
        0,59 US$
        59,25 US$
        500
        0,56 US$
        279,80 US$
        1000
        0,53 US$
        526,70 US$
        Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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