STF120NF10

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

41 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10.5 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

172 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

45 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Serie:

STF120NF10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

90 S

Otoño:

68 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

90 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

132 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

STF12, STF1, STF