STL8N6F7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

36 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

19 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

STripFET

Serie:

STL8N6F7

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

3.95 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.85 ns

Tags

STL8N6, STL8N, STL8, STL