NTLUS3A18PZTCG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UDFN-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

14.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

28 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

NTLUS3A18PZ

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

40 S

Otoño:

88 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

150 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.6 ns

Unidad de peso:

0.000300 oz

Tags

NTLUS3A18PZT, NTLUS3A1, NTLUS3A, NTLUS3, NTLUS, NTLU, NTL