APT34N80B2C3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

T-MAX-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

34 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

145 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

180 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

417 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Otoño:

6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Tags

APT34N80B, APT34N, APT34, APT3, APT