DMN3030LFG-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI3333-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

17.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

900 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN3030

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

6.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.5 ns

Unidad de peso:

0.002540 oz

Tags

DMN3030LF, DMN3030, DMN303, DMN30, DMN3, DMN