TSM061NA03CV RGG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PDFN33-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

66 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

19.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

44.6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

Rectificadores

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

51 S

Otoño:

7.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11.6 ns

Tags

TSM06, TSM0, TSM