SSM6N815R,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6F-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

84 mOhms, 84 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3.1 nC, 3.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

4.8 S, 4.8 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns, 21 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.5 ns, 7.5 ns

Unidad de peso:

0.000564 oz

Tags

SSM6N, SSM6, SSM