DMN1006UCA6-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X3-DSN2718-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

16.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5 mOhms, 5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

35.2 nC, 35.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.4 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

3812 ns, 3812 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1447 ns, 1447 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

2736 ns, 2736 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

615 ns, 615 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN