71V3556SA100BQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IDT (tecnología de dispositivo integrado)

Categoria de producto:

SRAM

RoHS:

N

Tamaño de la memoria:

4 Mbit

Organización:

128 k x 36

Tiempo de acceso:

5 ns

Frecuencia máxima de reloj:

100 MHz

Tipo de interfaz:

Parallel

Voltaje de suministro - Máx:

3.465 V

Voltaje de suministro - Min:

3.135 V

Corriente de suministro - Máx .:

250 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

0 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 70 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

CABGA-165

Embalaje:

Bandeja

Altura:

1.2 mm

Longitud:

15 mm

Tipo de memoria:

SDR

Serie:

71V3556SA100

Escribe:

Sincrónico

Ancho:

13 mm

Marca:

IDT

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

SRAM

Cantidad de paquete de fábrica:

136

Subcategoría:

Memoria y almacenamiento de datos

Parte # Alias:

71V3556 IDT71V3556SA100BQ

Tags

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