IRFH7911TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-18

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

13 A, 28 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.6 mOhms, 3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.35 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

8.3 nC, 34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.4 W, 3.4 W

Configuración:

Doble

Nombre comercial:

Fuerte IRFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

17 S, 106 S

Otoño:

5.9 ns, 14 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns, 28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns, 22 ns

Parte # Alias:

SP001577920

Tags

IRFH791, IRFH79, IRFH7, IRFH, IRF