R8010ANX

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

560 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

62 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

40 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.8 mm

Longitud:

15.4 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

R8010ANX

Tipo de transistor:

1 N-channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

10.3 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

2.2 S

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

54 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

97 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

43 ns

Parte # Alias:

R8010ANX

Unidad de peso:

0.090478 oz

Tags

R8010, R801, R80