PH1730AL,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LFPAK56-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.45 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

36.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

109 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FET de nivel lógico TrenchMOS de canal N

Marca:

Nexperia

Otoño:

34 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

72 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

76 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

46 ns

Tags

PH173, PH17, PH1