RJK2075DPA-00#J5A

RJK2075DPA-00#J5A
Mfr. #:
RJK2075DPA-00#J5A
Fabricante:
Renesas Electronics
Descripción:
MOSFET MOSFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
RJK2075DPA-00#J5A Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RJK2075DPA-00#J5A DatasheetRJK2075DPA-00#J5A Datasheet (P4-P6)RJK2075DPA-00#J5A Datasheet (P7)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Electrónica Renesas
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
WPAK-8
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
200 V
Id - Corriente de drenaje continua:
20 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
54 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
2.5 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
38 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
65 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Carrete
Serie:
RJK2075
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Electrónica Renesas
Otoño:
34 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
33 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
3000
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
49 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
24 ns
Tags
RJK207, RJK20, RJK2, RJK
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***esas
Low on-resistance RDS(on) = 0.054 Ω typ. (at ID = 10 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C) Low leakage current High speed switching
***i-Key
MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Imagen Parte # Descripción
RJK2075DPA-00#J5A

Mfr.#: RJK2075DPA-00#J5A

OMO.#: OMO-RJK2075DPA-00-J5A

MOSFET MOSFET
RJK2075DPA-00-J5A

Mfr.#: RJK2075DPA-00-J5A

OMO.#: OMO-RJK2075DPA-00-J5A-1190

Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
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