KSB1151YSTSSTU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-126-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 60 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 7 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.14 V

Corriente máxima del colector de CC:

5 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

KSB1151

Ganancia de corriente CC hFE Max:

400

Altura:

1.5 mm

Longitud:

8 mm

Embalaje:

Tubo

Ancho:

3.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Pd - Disipación de energía:

1300 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

60

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

KSB1151YSTSSTU_NL

Unidad de peso:

0.026738 oz

Tags

KSB1151YST, KSB1151YS, KSB1151Y, KSB115, KSB11, KSB1, KSB