ZXMN2B01FTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

4.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

806 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.02 mm

Longitud:

3.04 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

ZXMN2B01

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.4 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

6.1 S

Otoño:

10.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.6 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

ZXMN2B0, ZXMN2B, ZXMN2, ZXMN, ZXM