FF900R12IP4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1200 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.1 V

Corriente continua del colector a 25 C:

900 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

400 nA

Pd - Disipación de energía:

5.1 kW

Paquete / Caja:

PRIME2

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Bandeja

Altura:

38 mm

Longitud:

172 mm

Ancho:

89 mm

Marca:

Infineon Technologies

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

3

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

FF900R12IP4BOSA2 SP000609750

Unidad de peso:

1.819 lbs

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FF900R12IP, FF900R12, FF900, FF90, FF9