RFD8P05

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

300 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

48 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

6.3 mm

Longitud:

6.8 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

RFD8P05, RFD8P0, RFD8P, RFD8, RFD