DMHT6016LFJ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

V-DFN5045-12

Número de canales:

4 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

17 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.16 W

Configuración:

Patio

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

4 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.4 ns

Tags

DMHT, DMH